专利详情

专利名称	一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途
申请号	CN201310669731.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103663458A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院过程工程研究所	发明（设计）人	苏发兵;张在磊;王艳红;翟世辉
主分类号	C01B33/021(2006.01)I	IPC主分类号	C01B33/021(2006.01)I
专利有效期	一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途至一种多孔硅材料的制备方法、制备的多孔硅材料及其用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多孔硅材料的制备方法及根据该方法制备的多孔硅材料。该多孔硅材料的制备方法如下：以过渡金属氧化物为催化剂，在一定温度和压力及矿化剂作用下使有机溶剂与原料硅发生原位催化反应，并通过酸洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料。调节过渡金属氧化物的种类、用量、有机溶剂种类及反应条件参数可以调控硅材料的孔径大小、分布及孔隙率。本发明可以获得目前已有技术难以得到的多孔硅材料。利用该方法制备的多孔硅材料，生产成本低，工艺简单，可大规模制备，适合于工业化生产，具有广阔的应用前景。