
在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法
- 申请号:CN201210315544.8
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 公开(公开)号:CN103668141A
- 公开(公开)日:2014.03.26
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法 | ||
申请号 | CN201210315544.8 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103668141A | 公开(授权)日 | 2014.03.26 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 许鹏程;于海涛;李昕欣;徐铁刚 |
主分类号 | C23C18/44(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C18/44(2006.01)I;C04B35/628(2006.01)I |
专利有效期 | 在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法 至在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种在氧化石墨烯表面生长贵金属纳米晶的方法,采用油胺(Oleylamine,CAS号:112-90-3)作为反应的溶剂以及反应体系中的还原剂,在具有含氧官能团(如羟基、羧基、羰基和环氧基)修饰的石墨烯材料表面将贵金属前驱体还原成贵金属纳米晶,制造具有贵金属纳米晶负载的氧化石墨烯材料。该方法具有原理清晰、方法先进、易于操作、造价低廉、适用于多种贵金属和批量生产的特点。 |
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