专利详情

专利名称	一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法
申请号	CN201210323155.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103668381A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院宁波材料技术与工程研究所	发明（设计）人	王彪;许高杰
主分类号	C25D11/04(2006.01)I	IPC主分类号	C25D11/04(2006.01)I;C25D11/18(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I
专利有效期	一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法至一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种绝缘基片上原位多孔氧化铝膜的制备方法，其特征在于步骤为：1）在绝缘基片上镀上一层厚度为100nm-10μm的光滑铝膜；2）将步骤1)中得到的镀有铝膜的基片，浸在草酸电解液中进行预阳极氧化；3）扫描阳极氧化：将步骤2)中经过预阳极氧化的基片，从电解槽中取出清洗去除吸附的草酸电解液；将电解槽的草酸电解液移出，将洗净的基片放回电解槽，然后用蠕动泵将移出的草酸电解液匀速泵回电解槽，保持电解槽中液面匀速上升，当电解液的液面从基片的底部匀速扫过整个预氧化基片后，基片上预氧化步骤中尚未氧化的残余铝层随着电解液的匀速上升，依次完成阳极氧化过程，从而在绝缘基片上获得均匀高质量的原位多孔阳极氧化铝膜层；4）氧化退火。本发明制备工艺简单、制造成本低，可以在各种形貌的绝缘基片上原位镀制大面积多孔阳极氧化铝膜。