专利详情

专利名称	一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法
申请号	CN201210358823.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103668092A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院大连化学物理研究所	发明（设计）人	李刚;孙龙;金玉奇
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I
专利有效期	一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法至一种等离子体辅助磁控溅射沉积方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种等离子体辅助磁控溅射沉积镀膜技术。利用磁控溅射制备金属化合物薄膜时，为了克服靶中毒、阳极消失等现象，一般采用中频或脉冲直流反应磁控溅射方法。本发明提出一种新型的等离子体辅助沉积方法，通过在真空室内增加一等离子体放电区，工件架在随公转盘公转的同时高速自转，工件转过此等离子体放电区时，反应未完全的超薄层薄膜进一步与气体离子进行化和反应，从而得到更高化学计量比的化合物薄膜，大大提高了薄膜的沉积速率。与传统的等离子体源辅助沉积技术相比，本发明专利提出的新型等离子体产生技术成本更低，易于放大，可用于大规模工业化生产领域，具有重要的应用前景。