专利详情

专利名称	一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法
申请号	CN201310590551.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103674892A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	蔡清元;刘定权;罗海瀚;郑玉祥;陈刚;张冬旭;胡二涛
主分类号	G01N21/41(2006.01)I	IPC主分类号	G01N21/41(2006.01)I;G01B11/06(2006.01)I
专利有效期	一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法至一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于全内反射偏振位相差测量来监控薄膜生长的方法，属于薄膜生长光学监控技术领域。本发明以入射光的偏振位相差变化为测量目标，反映了薄膜生长过程中光学特性的变化，建立光信号与膜层厚度的对应关系，完成薄膜生长的监控。根据膜系设计参数进行理论计算，并作出预期的全内反射偏振位相差随薄膜生长的变化曲线，通过实际光学监控信号值来判断薄膜生长厚度，完成膜层生长后，通过光谱扫描获取偏振位相差在光谱范围内的分布，拟合获得精确的实际膜层折射率和厚度,从而修正膜系设计参数，并进行不同膜层间的厚度补偿。本发明具有膜层折射率及厚度监控灵敏、测量速度快的优点。