半导体器件及其制造方法
- 申请号：CN201210333073.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103681382A
- 公开(公开)日：2014.03.26
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210333073.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103681382A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;赵超 |
| 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。一种示例方法可以包括：在半导体衬底上形成栅极和源/漏区；在所述源/漏区上外延生长牺牲源/漏；在半导体衬底上形成层间电介质层，并对其进行平坦化，以露出牺牲源/漏；以及去除至少一部分牺牲源/漏，并在去除所述至少一部分牺牲源/漏而形成的孔中填充导电材料。 | ||
交易流程
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01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
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05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
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2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
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