专利详情

专利名称	一种相变存储器结构及其制备方法
申请号	CN201310673872.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103682094A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	闫未霞;王良咏;刘卫丽;宋志棠
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	一种相变存储器结构及其制备方法至一种相变存储器结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种相变存储器结构及其制备方法，制备的相变存储结构包括基底和位于所述基底上的若干相邻的相变存储单元；相变存储单元包括相变材料层、位于相变材料层两侧的第一电介质层、位于相变材料层及其两侧第一电介质层上表面上的上电极层、以及第二电介质层，所述第二电介质层包覆于所述第一电介质层和上电极层外且填充于相邻的相变存储单元之间；相邻两个相变存储单元的第一电介质层之间形成有空气间隔，且所述空气间隔位于第二电介质层之内；所述空气间隔能够增大相变单元间的热阻、减少器件操作中的热损失从而降低操作功耗，同时也可减少存储单元间的热串扰；另一方面具有空气间隔的存储器件可以降低导线间的寄生电容，以提高操作速度。