半导体器件结构及其制作方法
- 申请号：CN201210333470.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103681461A
- 公开(公开)日：2014.03.26
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 半导体器件结构及其制作方法 | ||
| 申请号 | CN201210333470.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103681461A | 公开（授权）日 | 2014.03.26 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;朱慧珑 |
| 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件结构及其制作方法 至半导体器件结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法。根据一示例，该方法包括：在衬底上设置有源区；在衬底上形成至少一条连续的栅极线，所述栅极线经由栅介质层与有源区相交；绕所述栅极线形成电介质侧墙；在所述栅极线的两侧，在有源区中形成源/漏区；形成与源/漏区电接触的接触部；在第一预定区域处，在接触部中形成沟槽，所述沟槽并未切断接触部；以及在第二预定区域处，实现器件间电隔离，被隔离的栅极线部分形成相应单元器件的栅极。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言