专利详情

专利名称	一种高压超结IGBT的制作方法
申请号	CN201210345024.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103681321A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王波;朱阳军;卢烁今;胡爱斌
主分类号	H01L21/331(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	一种高压超结IGBT的制作方法至一种高压超结IGBT的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种高压超结IGBT的制作方法，包括如下步骤：分别在N型，P型衬底上刻蚀出沟槽；分别外延P型，N型单晶硅填充沟槽，并在填充完毕后，做正面的平坦化和减薄；将硅片正面抛光，然后用酸液处理；将处理过的两硅片精确对准后进行键合；将键合后的硅片背面减薄去除N层，露出N，P间隔排布的形貌；重复第三步，第四步，进行第二次键合；制作器件的正面，采用淀积P型应变SiGe层制作背面集电极层；采用金属Al/Ti/Ni/Ag制作背面金属层。本发明提供的一种高压超结IGBT的制作方法，具有较大高宽比，适合高压器件，也可以用于功率二极管，VDMOS以及其他功率器件。