专利详情

专利名称	IGBT器件及其制作方法
申请号	CN201210333617.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103681817A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	谈景飞;朱阳军;王波;张文亮;褚为利
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I
专利有效期	IGBT器件及其制作方法至IGBT器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整栅结构的电压高于集电区电压，则在所述调整栅区域上方会形成一层电子富集的区域，使所述IGBT器件在一定的击穿电压下，载流子在衬底内的漂移区厚度更薄，器件的关断拖尾电流较小，降低了器件在开关状态下的关断损耗；在器件的导通状态下，调整栅结构的电压低于集电区电压，则在所述调整栅结构区域上方会形成一层空穴富集的区域，增加了集电区宽度和载流子浓度，降低了器件在导通状态下的导通损耗。