专利详情

专利名称	多次可编程半导体器件及其制造方法
申请号	CN201210326597.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103681800A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	梁擎擎;钟汇才;朱慧珑
主分类号	H01L29/423(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/423(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	多次可编程半导体器件及其制造方法至多次可编程半导体器件及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了多次可编程半导体器件，包括：多个鳍形结构，位于衬底上且沿平行于衬底表面的第一方向延伸分布，包括衬底注入区、埋氧层、顶层；沟道区，位于多个鳍形结构的顶层中；源漏区，位于多个鳍形结构的顶层中沟道区两端；栅极绝缘层，位于沟道区的顶部以及侧部，沿平行于衬底表面的第二方向延伸分布；浮栅，位于多个鳍形结构的第二方向上的两侧；编程/擦除栅，由衬底注入区构成，位于埋氧层下方。依照本发明的多次可编程半导体器件及其制造方法，利用衬底注入区来形成FinFET的编程/擦除栅，简化了器件结构，并缩减了制造工序，提高了器件的集成密度，适用于多次可编程存储器。