专利详情

专利名称	降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法
申请号	CN201210353546.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103676491A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	孟令款;贺晓彬;李春龙
主分类号	G03F7/20(2006.01)I	IPC主分类号	G03F7/20(2006.01)I;G03F1/20(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I
专利有效期	降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法至降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种降低电子束光刻时光刻胶粗糙度的方法，包括：在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层；在第一硬掩模层上形成第二硬掩模层；在第二硬掩模层上形成电子束光刻胶图形；以电子束光刻胶图形为掩模，刻蚀第二硬掩模层形成第二硬掩模图形；以第二硬掩模图形为掩模，刻蚀第一硬掩模层形成第一硬掩模图形；以第一和第二硬掩模图形为掩模，刻蚀结构材料层，形成所需要的线条。依照本发明的方法，采用材质不同的多层硬掩模层并且多次刻蚀，防止了电子束光刻胶侧壁粗糙度传递到下层的结构材料层，有效降低了线条的粗糙度，提高了工艺的稳定性，降低了器件性能的波动变化。