专利详情

专利名称	用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法
申请号	CN201310625373.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103682153A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	孟庆波;石将建;徐余颛;罗艳红;李冬梅
主分类号	H01L51/52(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I
专利有效期	用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法至用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种用于钙钛矿型有机卤化铅薄膜太阳能电池的金属-绝缘层-半导体背接触界面结构及其制备方法。本界面结构是在有机卤化铅薄膜上利用原子层沉积等手段沉积一层厚度可控的均匀氧化物绝缘层，用于修饰和调控薄膜太阳能电池背接触，达到提高太阳能电池性能的效果。本发明突破了钙钛矿型有机卤化铅薄膜电池的传统背接触结构，在无需高掺杂的情况下实现了良好的背接触，并提高了太阳能电池光电转换效率。本发明的电池界面结构还可用在其它对于材料和界面有苛刻要求的电子器件中。