专利详情

专利名称	一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法
申请号	CN201210345357.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103681819A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	张文亮;朱阳军;卢烁今;赵佳;田晓丽;吴振兴
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法至一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该绝缘栅双极性晶体管包括集电极、发射极、P-基区、N+缓冲侧、N-漂移区和栅极，栅极在沟槽内，栅极与N-漂移区、P-基区和发射极通过绝缘层电学隔离；其中，栅极由多晶硅组成，在沟槽内多晶硅栅上镶嵌一个以上不连续的绝缘体。本发明利用梳状栅结构减小了沟槽密度，从而提高抗短路能力。同时保持较高的栅密度，从而保证器件击穿电压下较小；同时，减小了器件的寄生电容，使器件有较高的开关速度。