专利详情

专利名称	基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法
申请号	CN201310591022.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103681937A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	胡伟达;梁健;叶振华;陈效双;陆卫
主分类号	H01L31/102(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/102(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法至基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于光子晶体限光效应的焦平面探测器结构的设计方法。在器件模拟中发现，在典型的n+-on-p平面结上进行刻蚀，形成周期性光子晶体，从而将占空比降低到0.4时，器件的量子效率能保持不变，而随着有效体积的减小，暗电流会下降70%。本发明的优点在于，该种利用光子晶体人工微结构的限光效应提高光吸收效率并降低暗电流的HgCdTe中长波红外焦平面探测器结构，在维持原有的光响应特性不变的情况下，由于暗电流的降低，而提高了器件的整体性能，同时这种周期性结构与焦平面阵列相兼容，显著降低红外焦平面探测器的读出电路的制作难度。