专利详情

专利名称	印刷式半导体器件及制作方法
申请号	CN201210357280.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103682099A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院理化技术研究所	发明（设计）人	刘静
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;B41J3/00(2006.01)I;C09D11/52(2014.01)I;C09D11/03(2014.01)I
专利有效期	印刷式半导体器件及制作方法至印刷式半导体器件及制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种印刷式半导体器件及制作方法，其半导体器件包括：基底、导电金属墨水、半导体墨水和绝缘型墨水，所述导电金属墨水含有0.1wt%～10wt%质量百分比低熔点液态金属的氧化物和0wt%～90wt%导电性纳米颗粒或半导体纳米颗粒，所述半导体墨水含有0.1wt%～90wt%质量百分比P型或N型半导体纳米颗粒和有机物，或所述半导体墨水含有0.1wt%～90wt%质量百分比P型或N型半导体纳米颗粒和聚合物，所述绝缘型墨水含有有机物或聚合物。本发明提供的印刷式半导体器件及制作方法，可全部直接印刷的室温附近或更高温下呈液态的低熔点金属墨水及其纳米复合物，依据于所选择的墨水类型，可以实现多种类型半导体器件的直接打印，包括片上二极管、三极管、晶体管、LED、激光器等。