专利详情

专利名称	用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜装置
申请号	CN201320467293.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203498467U	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	赵彦辉;于宝海;肖金泉
主分类号	C23C16/04(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/04(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I
专利有效期	用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜装置至用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜装置	法律状态
说明书摘要	本实用新型属于材料表面改性领域，涉及一种用等离子体增强化学气相沉积在长管内表面沉积薄膜的装置，解决现有PECVD方法在管内轴向等离子体放电的不均匀性，而且直接造成管内表面轴向薄膜沉积均匀性差等问题。在待处理的细长金属管置于管型真空室内，在金属管状工件的中心轴向放置一钨丝电极，向金属管内通入工作气体，在钨丝电极与真空室壁之间施加直流脉冲或射频信号，激励放电以产生等离子体。在真空室外缠绕漆包线构成电磁线圈，电磁线圈接直流稳压电源以产生电磁场。利用磁场对等离子体束流进行约束和控制，从而实现等离子体在管内壁均匀沉积薄膜的目的，适用于作为服役表面的管状工件的内壁表面镀膜。