专利详情

专利名称	压力传感器阵列及其制备方法
申请号	CN201210357207.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103682078A	公开（授权）日	2014.03.26
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	王中林;潘曹峰
主分类号	H01L41/113(2006.01)I	IPC主分类号	H01L41/113(2006.01)I;H01L41/27(2013.01)I
专利有效期	压力传感器阵列及其制备方法至压力传感器阵列及其制备方法	法律状态	专利申请权、专利权的转移
说明书摘要	本发明提供一种压力传感器阵列及其制备方法，所述压力传感器阵列采用发光PN结作为传感单元，所述发光PN结的P型区和/或N型区的材料为压电材料，当外界应力施加于由发光PN结传感单元阵列组成的压力传感器阵列器件的表面上时，由于应力在该器件表面上的非均匀分布使得在每个发光PN结的压电材料上产生的压电电势场大小不同，从而使为基本像素单元的每个发光PN结的发光强度产生不同程度的变化，通过这种PN结阵列中每个像素点发光强度的变化能够快速得到压力传感器阵列器件的表面上施加的应力信息。