专利详情

专利名称	一种锗纳米线叠层结构的制作方法
申请号	CN201310741585.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103700582A	公开（授权）日	2014.04.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威
主分类号	H01L21/28(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	一种锗纳米线叠层结构的制作方法至一种锗纳米线叠层结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种锗纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延单晶锗硅层与锗层；对锗硅层与锗层进行光刻和刻蚀，获得锗硅线条／锗线条的周期结构；在纯氧气氛下对锗硅线条／锗线条的周期结构进行氧化，将锗硅层中的硅组分被选择性氧化为二氧化硅，同时使锗硅层中的锗组分析出到锗层中；利用氢氟酸进行选择性刻蚀，将二氧化硅溶解，获得锗纳米线叠层结构。本发明提供的锗纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。