专利详情

专利名称	一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法
申请号	CN201310740895.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103700578A	公开（授权）日	2014.04.02
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东;赵威
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法至一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种锗硅纳米线叠层结构的制作方法，该方法包括：在单晶衬底表面交替外延锗硅薄膜与锗薄膜，并对锗硅薄膜与锗薄膜的表面进行光刻和刻蚀，获得锗硅/锗的线条结构；在纯氧或含有氧气的混和气体的气氛下对获得的锗硅/锗的线条结构进行氧化，利用锗与锗硅氧化速率的不同将锗优先氧化为二氧化锗，同时保持锗硅不被氧化；以及利用化学腐蚀的方法除去二氧化锗，获得锗硅纳米线叠层结构。本发明提供的锗硅纳米线结构的制作方法，具有可大面积生长、工艺简便、纳米线直径可控以及制备成本低等优点。