
平衡热场分布的超大功率光电器件
- 申请号:CN201320343584.3
- 专利类型:实用新型
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号:CN203521414U
- 公开(公开)日:2014.04.02
- 法律状态:授权
- 出售价格: 面议 立即咨询
专利详情
专利名称 | 平衡热场分布的超大功率光电器件 | ||
申请号 | CN201320343584.3 | 专利类型 | 实用新型 |
公开(公告)号 | CN203521414U | 公开(授权)日 | 2014.04.02 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明(设计)人 | 王玮;蔡勇;张宝顺 |
主分类号 | H01L27/15(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I |
专利有效期 | 平衡热场分布的超大功率光电器件 至平衡热场分布的超大功率光电器件 | 法律状态 | 授权 |
说明书摘要 | 一种平衡热场分布的超大功率光电器件,包括光电器件芯片,该芯片的外延层包括彼此隔离的若干单胞,该等单胞相互串联或并联,其中至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组,并且该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联,其中每一单胞组内的所有单胞均排布在一个长宽比接近1的矩形区域内,而且各单胞的间距沿芯片周缘部向中心递增。本实用新型通过前述设计,可使相邻单胞节温保持一致,避免节温较高的单胞成为热斑和热崩,有效提升大功率光电器件的工作性能,并延长其使用寿命,同时还可使芯片中央区域有源区面积相对减少,产生热量减少,且使单胞间热的相互影响减少,从而达成芯片中央与四周热场的平衡分布。 |
交易流程
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