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一种光电探测器件转移制作系统及制作方法

  • 申请号:CN201310745792.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所
  • 公开(公开)号:CN103715034A
  • 公开(公开)日:2014.04.09
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种光电探测器件转移制作系统及制作方法
申请号 CN201310745792.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103715034A 公开(授权)日 2014.04.09
申请(专利权)人 中国科学院西安光学精密机械研究所 发明(设计)人 卢裕;刘虎林;田进寿;赛小锋;韦永林;徐向晏;王俊锋
主分类号 H01J9/00(2006.01)I IPC主分类号 H01J9/00(2006.01)I
专利有效期 一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 至一种光电探测器件转移制作系统及制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种光电探测器件转移制作系统及制作方法,包括阴极腔、阳极腔、工作传递腔、转移传递系统、烘箱及抽真空系统,阴极腔、阳极腔、工作传递腔之间通过阀门隔开,阴极腔和阳极腔分别位于工作传递腔两侧,转移传递系统包括水平传递系统和升降系统,水平传递系统包括阳极组件放置装置、阴极组件放置装置及水平传递装置,利用该制作系统进行光电探测器件制作时,除阳极组件组装过程外,其余工艺过程均在超高真空的清洁环境内完成,防止制作过程对倍增管核心器件造成污染;MCP阳极组件处理与光电阴极制作工艺相互独立,避免非阴极部分受阴极碱金属污染,保证MCP处于最佳性能工作状态。

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