专利详情

专利名称	一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件
申请号	CN201310705313.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103715607A	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	闫方亮;张锦川;姚丹阳;卓宁;王利军;刘峰奇;王占国
主分类号	H01S5/42(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/42(2006.01)I;H01S5/187(2006.01)I
专利有效期	一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件至一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种可调谐衬底发射量子级联激光器阵列器件，包括：衬底；衬底上表面依次生长的下波导层、下限制层、有源区、上限制层、上波导层、盖层以及高掺层；阵列器件，其包含多个DFB激光器单元，每个DFB激光器单元具有脊型波导结构，脊上面的高掺层上具有二级取样布拉格光栅结构，不同布拉格光栅具有不同取样周期；二氧化硅层，覆盖整个脊型波导结构的表面区域；正面电极层，生长在二氧化硅层上面及布拉格光栅上面；电隔离沟，位于阵列器件中两个相邻的DFB激光器的脊型波导结构之间；背面金属电极层，生长在衬底的下表面；出光窗口，位于衬底的下表面，阵列器件中的每个DFB激光器单元的脊型波导均对应一个出光窗口。