专利详情

专利名称	采用质子辐照制备终端结构的方法
申请号	CN201210370852.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103715074A	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心	发明（设计）人	褚为利;朱阳军;吴振兴;赵佳
主分类号	H01L21/268(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/268(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	采用质子辐照制备终端结构的方法至采用质子辐照制备终端结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种采用质子辐照制备终端结构的方法包括：在衬底上制备芯片的主结和P型场限环；在所述形成主结和P型场限环的芯片上制备元包结构；在所述形成元包结构的芯片上淀积金属电极后，通过刻蚀形成阴极；在所述形成阴极的芯片上通过质子注入后退火形成N型阱，完成芯片的正面工艺；在所述完成正面工艺的芯片的背面进行P型离子注入形成P集电极后，淀积金属电极形成阳极，获得成品。本发明提供的采用质子辐照制备终端结构的方法，在保证耐压的同时降低芯片终端面积，且采用质子辐照形成施主杂质的方法，形成N型阱，注入损伤相对普通高能粒子注入要小，还能提高器件的可靠性。