专利详情

专利名称	一种集成一体化的离子囚禁装置
申请号	CN201410018021.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103714878A	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	中国科学院武汉物理与数学研究所	发明（设计）人	崔凯枫;商俊娟;曹健;舒华林;黄学人
主分类号	G21K1/00(2006.01)I	IPC主分类号	G21K1/00(2006.01)I
专利有效期	一种集成一体化的离子囚禁装置至一种集成一体化的离子囚禁装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种集成一体化的离子囚禁装置，包括原子炉、磁屏蔽系统和设置在磁屏蔽系统内的磁场线圈系统，还包括设置在磁场线圈系统的离子阱，离子阱包括两个陶瓷支架，两个陶瓷支架之间固定有四个射频电极，相对的两个射频电极对称设置，每个射频电极包括固定端和射频端，两个陶瓷支架上均设置帽电极，帽电极一端设置有帽电极弧面端，四个射频端和两个帽电极弧面端围成的空间为离子阱中央区域，所述的原子炉设置在离子阱中央区域的下方。本发明内置成像透镜系统距离离子囚禁区域很近，成像立体角大，可以显著提高信噪比。内置磁场线圈体积小巧，有利于离子囚禁区域磁场的精确控制。磁屏蔽系统结构紧凑，开孔小，屏蔽效果更好。