专利详情

专利名称	一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法
申请号	CN201310736928.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103715195A	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	王庶民;李耀耀;龚谦;程新红
主分类号	H01L27/092(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法至一种基于硅基三维纳米阵列的全环栅CMOS结构和制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种全环栅CMOS场效应晶体管和制备方法，其特征在于所述硅衬底或SOI衬底上生长有n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列；所述n型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列和p型横向三维单片集成的高迁移率纳米线阵列间隔排列。包括硅或SOI衬底，利用ALD技术实现纳米线周围栅介质和金属栅极材料全包围，制备横向三维p型和n型单片集成纳米线阵列，得到全环栅CMOS场效应晶体管。本发明能够满足10nm以下技术节点对器件性能提出的高要求，为大规模集成电路中的10nm以下技术节点提供技术积累和技术支撑。