专利详情

专利名称	用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔
申请号	CN201320623672.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203536549U	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	吕蒙;俞国林;徐勇刚;常志刚;刘新智;林铁;孙雷;褚君浩
主分类号	H01P7/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01P7/06(2006.01)I;G01N22/00(2006.01)I
专利有效期	用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔至用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，谐振腔主要由同轴电缆组件、微波隔板和面板安装式连接器、谐振腔盖板、谐振腔、铜片A、铜片B、螺丝A、螺丝B等组成。谐振腔的主要特征在于利用同轴电缆将微波导入深低温、强磁场环境的谐振腔中，实现了微波测量与深低温、强磁场输运测量的结合。该系统为对诸如拓扑绝缘体等二维纳米结构材料表面态的深低温磁输运研究提供了一种有效工具。