专利详情

专利名称	铜铟镓硒薄膜的制备方法
申请号	CN201310687514.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103710668A	公开（授权）日	2014.04.09
申请（专利权）人	深圳先进技术研究院;香港中文大学	发明（设计）人	熊治雨;肖旭东;杨春雷
主分类号	C23C14/24(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/24(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	铜铟镓硒薄膜的制备方法至铜铟镓硒薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。步骤一与步骤三的共蒸时间的比值为5:1～7:1。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗。