
一种硼化钛单相陶瓷材料的制备方法
- 申请号:CN201410007168.5
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN103739291A
- 公开(公开)日:2014.04.23
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种硼化钛单相陶瓷材料的制备方法 | ||
申请号 | CN201410007168.5 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103739291A | 公开(授权)日 | 2014.04.23 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 张国军;王喜龙;刘海涛 |
主分类号 | C04B35/58(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 一种硼化钛单相陶瓷材料的制备方法 至一种硼化钛单相陶瓷材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明涉及一种硼化钛单相陶瓷材料的制备方法,包括:以硼化钛为原料,单质硼为烧结助剂,将原料与烧结助剂按质量比(0.950~0.995)∶(0.050~0.005)混合均匀制得混合粉体;通过冷等静压将所得混合粉体制成陶瓷生坯;以及将所得生坯进行无压烧结:在真空气压低于100Pa状态下升温至1200℃并保温30分钟,然后通惰性气体保护后升温至1600℃并保温30分钟,最后保持烧结温度为1800℃~2200℃,保温1~3小时,即得致密化硼化钛单相陶瓷。本发明采用直接添加极少量单质硼为烧结助剂,有效克服了现有技术中高成本单质硼原料的大量浪费,具有更好的经济效益。直接添加单质硼可以有效地控制产物中残余硼含量,避免产物中过多的残余非晶相硼影响材料的使用性能。 |
交易流程
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