一种具有电流补偿的带隙基准电路
- 申请号：CN201310714141.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103744464A
- 公开(公开)日：2014.04.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种具有电流补偿的带隙基准电路 | ||
| 申请号 | CN201310714141.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103744464A | 公开（授权）日 | 2014.04.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜伟;赵野;付佳;郝炳贤;杜晓伟 |
| 主分类号 | G05F1/567(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F1/567(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种具有电流补偿的带隙基准电路 至一种具有电流补偿的带隙基准电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有电流补偿的带隙基准电路，包括带隙基准核心电路、补偿电流产生电路和启动电路。该基准电路在传统一阶温度补偿带隙基准的基础之上，由补偿电流产生电路产生一个与一阶温度补偿输出电压曲线互补的电流，并通过电阻R7将该电流转换成电压，并与带隙基准核心电路产生的电压叠加求和，产生一个高精度的输出电压。该电路不需要特殊的工艺，仅通过增加少量MOS管和电阻就能实现高阶补偿，具有直观简单、易于理解、容易实现的优点。 | ||
交易流程
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