专利详情

专利名称	一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路
申请号	CN201310733250.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103745973A	公开（授权）日	2014.04.23
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	付佳;赵野;郝炳贤;姜伟;杜晓伟
主分类号	H01L23/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L23/60(2006.01)I;H01M10/48(2006.01)I;H01M10/42(2006.01)I
专利有效期	一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路至一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及ESD技术领域，公开了一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路。其中，ESD保护器件包括：衬底、埋入层、高压N阱区、高压P阱区、低压P阱区及低压NMOS管；埋入层在衬底上；高压P阱区在埋入层上；低压P阱区在高压P阱区上；低压NMOS管在低压P阱区内；高压N阱区在高压P阱区的外部，并与埋入层接触；低压NMOS管的栅极与源极连接，并连接到高压P阱区上作为保护器件的正极；低压NMOS管的漏极与高压N阱区连接，作为保护器件的负极。本发明中的ESD保护器件的两端均可以接高电平，ESD电路中的ESD保护器件一一对应地与电池的两端连接，实现了对电池管理芯片的ESD保护。