专利详情

专利名称	一种硅神经电极混合集成器件的制造方法
申请号	CN201410028793.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103750833A	公开（授权）日	2014.04.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	张旭;韩建强;刘鸣;裴为华;陈弘达
主分类号	A61B5/04(2006.01)I	IPC主分类号	A61B5/04(2006.01)I
专利有效期	一种硅神经电极混合集成器件的制造方法至一种硅神经电极混合集成器件的制造方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了一种硅神经电极混合集成器件的制造方法，包括：制作用于神经信号采集的前置放大器芯片和硅神经电极；在前置放大器芯片表面制作掩膜，在前置放大器芯片输入压焊盘中制作金属层；在前置放大器芯片表面和压焊盘中制作绝缘层；对前置放大器芯片和硅神经电极的表面进行抛光；采用硅片键合技术将前置放大器芯片与硅神经电极集成，在前置放大器与硅神经电极间形成耦合电容。本发明有效隔离了电极记录点与神经细胞接触时形成的电极-电解液极化电位与细胞组织的共模扰动，消除了对前置放大器直流工作点的影响，简化了前置放大器的设计与神经信号记录系统。