
一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法
- 申请号:CN201410001333.6
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
- 公开(公开)号:CN103760336A
- 公开(公开)日:2014.04.30
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法 | ||
申请号 | CN201410001333.6 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103760336A | 公开(授权)日 | 2014.04.30 |
申请(专利权)人 | 中国科学院苏州生物医学工程技术研究所 | 发明(设计)人 | 郭振;黎海文;吴一辉 |
主分类号 | G01N33/543(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N33/543(2006.01)I |
专利有效期 | 一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法 至一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种线阵ZnO纳米线异质结LED生物传感器及制备方法,生物传感器基于蓝宝石衬底上外延p型GaN层,GaN层上制备阵列化n型ZnO纳米线,阵列化纳米线间隙采用PMMA或者parylene材料填充,阵列化纳米线顶部沉积有ITO低阻导电薄膜,在ITO低阻导电薄膜表面修饰有蛋白质及固定有抗体,ITO低阻导电薄膜表面制备有In金属引出电极,以Ni/Au合金作为p型GaN层电极。本发明呈现了半导体ZnO纳米线阵列异质结LED的光学性质实现生物传感的新颖技术,同时本发明传感器制备方法利用电子束直写(EBL)刻蚀和选择性外延生长的方法制备线阵ZnO纳米线异质结LED,也可利用纳米压印的方法替代电子束光刻实现批量化生产,结合磁分离技术可实现生物分子的无标、快速、高灵敏度检测的目的。 |
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