专利详情

专利名称	利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法
申请号	CN201410031337.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103762158A	公开（授权）日	2014.04.30
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	黄永光;朱洪亮;王宝军
主分类号	H01L21/02(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/02(2006.01)I
专利有效期	利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法至利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。本发明可以很好地进行选区量子阱混和。