专利详情

专利名称	一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法
申请号	CN201410035658.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103762302A	公开（授权）日	2014.04.30
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈垒;王镇
主分类号	H01L39/24(2006.01)I	IPC主分类号	H01L39/24(2006.01)I;H01L39/22(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y10/00(2011.01)I
专利有效期	一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法至一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种纳米超导量子干涉器件及其制作方法，包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上生长第一超导材料层；S2：形成光刻胶层并图案化；S3：刻蚀掉所述预设区域的第一超导材料层；S4：在步骤S3获得的结构正面及侧面覆盖一层绝缘材料；S5：生长第二超导材料层；S6：去掉所述第一超导材料层上表面所在平面以上的结构，得到中间被植入至少一条绝缘夹层的平面超导结构；S7：形成至少一条与所述绝缘夹层垂直的纳米线，得到纳米超导量子干涉器件。本发明将超导环和纳米结分成两个主要步骤来实现，超导环的宽度和纳米结的长度由绝缘夹层决定，其大小在原子层尺度上可控，可同时实现纳米结长度小于超导材料相干长度和超导环的尺寸大幅度减小的目的。