专利详情

专利名称	一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法
申请号	CN201410075532.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103771859A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	陈继新;赵国瑞;孙连东;苗磊;李美栓;周延春
主分类号	C04B35/58(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法至一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及陶瓷基复合材料领域，具体为一种碳化硅／硼化钨复合材料及其制备方法。该复合材料由钨二硼五增强相和碳化硅基体组成，钨二硼五增强相均匀弥散地分布于碳化硅基体中。采用碳化钨粉、碳化硼粉和硅粉，或者碳化钨粉、碳化硼粉、硅粉和碳化硅粉、钨二硼五粉之一种或两种为原料，经物理机械方法混合8～24小时，装入石墨模具中冷压成型，施加的压强为10～20MPa；在通有惰性气体保护气氛的热压炉内烧结，升温速率为1～20℃/分钟，烧结温度为1600～2000℃、烧结时间为0.5～3小时、烧结压强为10～300MPa。采用本发明方法能够实现原位合成制备碳化硅／硼化钨复合材料，其最佳性能为：硬度30GPa，抗弯强度达到900MPa，断裂韧性为6.1MPa·m^1/2，电导率为6×10⁵Ω^-1m^-1。