专利详情

专利名称	管径均匀的碳纳米管阵列及其生长方法
申请号	CN201310714065.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103771389A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	董绍明;甄琦;阚艳敏;胡建宝;高乐
主分类号	C01B31/02(2006.01)I	IPC主分类号	C01B31/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	管径均匀的碳纳米管阵列及其生长方法至管径均匀的碳纳米管阵列及其生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种生长管径均匀的碳纳米管阵列的方法，主要包括：步骤A)在金属箔片上沉积缓冲层和催化剂层形成复合基底；步骤B)通入还原气体，于3～20kPa低压下对复合基底上的催化剂进行还原处理；步骤C)通入由惰性气体、还原气体和碳源气体组成的混合气体，于15～40kPa低压下，采用化学气相沉积法在复合基底上原位生长碳纳米管阵列。本发明的方法中，催化剂的还原和碳纳米管阵列的生长分别控制在3～20kPa和15～40kPa的低压下进行，不但提高了工艺的安全性，还有效控制了催化剂粒子的粒径和形貌以及阵列的生长，可以获得高质量管径均匀的碳纳米管阵列。本发明的碳纳米管阵列的高度为100～350μm，管径分布均匀，为8～20nm，标准差小于3nm。