专利详情

专利名称	一种集成式微阵列电极的制备方法
申请号	CN201410071940.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103776884A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院长春应用化学研究所	发明（设计）人	董绍俊;余登斌;翟俊峰;徐晓龙;白露;刘长宇
主分类号	G01N27/30(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/30(2006.01)I
专利有效期	一种集成式微阵列电极的制备方法至一种集成式微阵列电极的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种集成式微阵列电极的制备方法，将第一电极材料插进玻璃毛细管中，得到第一玻璃毛细管；将第二电极材料熔封于细玻璃管的一端，从另一端加入第一导电介质，连接第一导线密封，得到参比电极兼对电极；将参比电极兼对电极与多根第一玻璃毛细管插进玻璃管中，空隙采用玻璃制品填充，再灌装第二导电介质，连接第二导线密封，得到集成式微阵列电极。与现有技术相比，首先本发明全部采用玻璃管封装集成式微阵列电极，从而使其集成于一体，使用方便，且电极间距固定，样品批次检测试验误差较小，同时采用玻璃管封装使制备的微阵列电极耐腐蚀、抗污染性较强、稳定性较好；其次，本发明参比电极兼对电极为一体，制作简单，维护方便。