专利详情

专利名称	MOS器件的STI应力效应建模方法及装置
申请号	CN201410040388.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103778297A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	卜建辉;李书振;罗家俊;韩郑生
主分类号	G06F17/50(2006.01)I	IPC主分类号	G06F17/50(2006.01)I
专利有效期	MOS器件的STI应力效应建模方法及装置至MOS器件的STI应力效应建模方法及装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种MOS器件的STI应力效应建模方法及装置，属于器件提参建模技术领域。所述方法包括：引入温度参数对MOS器件的STI应力效应的影响，形成MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数；提取常温下的MOS器件的模型参数Model1；以Model1为基础，提取常温下STI应力对MOS器件性能影响的参数Model2；以Model2为基础，提取函数中MOS器件的拟合参数，获得最终模型参数。所述装置包括：第一模块、第二模块、第三模块及第四模块。本发明通过建立MOS器件的STI应力效应随温度参数变化的函数，能够准确地描述出温度对MOS器件STI应力效应的影响，使得提取的模型参数更加准确可靠。