
压电陶瓷材料及其制备方法
- 申请号:CN201310714087.4
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号:CN103771854A
- 公开(公开)日:2014.05.07
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 压电陶瓷材料及其制备方法 | ||
申请号 | CN201310714087.4 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103771854A | 公开(授权)日 | 2014.05.07 |
申请(专利权)人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明(设计)人 | 李玉臣;董显林;姚烈 |
主分类号 | C04B35/493(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/493(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
专利有效期 | 压电陶瓷材料及其制备方法 至压电陶瓷材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种压电陶瓷材料及其制备方法,化学通式为:Pb1-xMx(Sb1/2Nb1/2)y(Mn1/3Sb2/3)z(ZreTif)1-y-zO3+awt.%Fe2O3+bwt.%Sm2O3+cwt.%MnO2+dwt.%Al2O3,其中,M为Sr2+和/或Ba2+;x=0.02~0.1,y=0.01~0.1,z=0.01~0.1,e=0.40~0.60,f=0.40~0.60且满足e+f=1;a=0~0.4,b=0~0.5,c=0~1.0,d=0~1.0且Fe2O3、Sm2O3、MnO2和Al2O34种掺杂物中至多1种掺杂物的含量为0。本发明的压电陶瓷材料的主要性能为:d33=210pC/N,ε33T/ε0=585,tanδ=0.20%,kp=0.56,kt=0.54,Qm=1210。相对于一般的功率发射型压电陶瓷材料,本发明的压电陶瓷材料具有较低的介电常数、较小的介电损耗同时具有较高的机械品质因数和机电耦合系数,是一种性能优良的低介电常数、高机械品质因数功率发射型压电陶瓷材料。 |
交易流程
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01
选取所需
专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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