专利详情

专利名称	MOSFET的制造方法
申请号	CN201210407433.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103779223A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尹海洲;秦长亮;朱慧珑
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I
专利有效期	MOSFET的制造方法至MOSFET的制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	公开了一种MOSFET的制造方法，包括：在半导体衬底上外延生长第一半导体层；在第一半导体层上外延生长第二半导体层；在第一半导体层和第二半导体层中形成用于限定MOSFET的有源区的浅沟槽隔离；在第二半导体上形成栅叠层和围绕栅叠层的侧墙；以浅沟槽隔离、栅叠层和侧墙为硬掩模在第二半导体层中形成开口；以开口的底面和侧壁为生长籽层，外延生长第三半导体层，其中第三半导体层的材料与第二半导体层的材料不同；以及对第三半导体层进行离子注入以形成源区和漏区。该方法利用由第三半导体层形成的源区和漏区对第二半导体层中的沟道区施加应力。