专利详情

专利名称	基于埋层的垂直结构存储器的制备方法
申请号	CN201410039896.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103779497A	公开（授权）日	2014.05.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	付英春;王晓峰;杨富华
主分类号	H01L45/00(2006.01)I	IPC主分类号	H01L45/00(2006.01)I
专利有效期	基于埋层的垂直结构存储器的制备方法至基于埋层的垂直结构存储器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于埋层的垂直结构存储器的制备方法。该方法采用填埋下电极和存储功能材料层，不仅可以实现良好的电热绝缘，而且避开了以往制备此类垂直结构器件对化学机械抛光(CMP)的依赖。该方法在电子束曝光、聚焦粒子束刻蚀等高精度线性光刻手段，及高精度的薄膜淀积与刻蚀工艺辅助下，解决了以往研发此类垂直结构由CMP技术的研发瓶颈所导致的研发周期长、难度大、成本高、适用性差的缺点，并在制备精度、制备效率、经济性以及与现有的CMOS工艺兼容性等方面具有很大的优越性。