准纳米线晶体管及其制造方法
- 申请号：CN201210407807.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103779226A
- 公开(公开)日：2014.05.07
- 法律状态：实质审查的生效
- 出售价格： 面议 立即咨询
专利详情
| 专利名称 | 准纳米线晶体管及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201210407807.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103779226A | 公开（授权）日 | 2014.05.07 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;梁擎擎;尹海洲;骆志炯 |
| 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I |
| 专利有效期 | 准纳米线晶体管及其制造方法 至准纳米线晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种准纳米线晶体管及其制造方法，该方法包括：提供SOI衬底，该SOI衬底包括基底层（100），BOX层（120）和SOI层（130）；在SOI层上形成鳍片基体，所述鳍片基体包括至少一组硅/硅锗叠层；在鳍片基体的两侧形成源漏区（110）；由鳍片基体以及其下的SOI层形成准纳米线鳍片；横跨所述准纳米线鳍片形成栅堆叠。该方法可以有效地控制栅长特性。本发明还提供了根据上述方法形成的半导体结构。 | ||
交易流程
-
01
选取所需
专利 -
02
确认专利
可交易 - 03 签订合同
- 04 上报材料
-
05
确认变更
成功 - 06 支付尾款
- 07 交付证书
过户资料
平台保障
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障
- 用户留言
暂时还没有用户留言