专利详情

专利名称	一种发光二极管及光学相干层析成像系统
申请号	CN201410052014.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103794693A	公开（授权）日	2014.05.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张立瑶;王庶民;李耀耀;王凯
主分类号	H01L33/30(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/30(2010.01)I;G01N21/25(2006.01)I;G01N21/49(2006.01)I
专利有效期	一种发光二极管及光学相干层析成像系统至一种发光二极管及光学相干层析成像系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT系统与现有技术相比，轴向分辨率提高4-6倍，在医学诊断上具有良好的应用前景。基于InPBi材料的发光二极管结构简单，可以通过分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种成熟的材料工艺进行生长；器件制备工艺简单成熟，易控制。因此利用本发明可以有效克服现有相关相干成像系统现有技术的局限，而且工艺简单、成熟、可控，具有极高的产业价值。