专利详情

专利名称	一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法
申请号	CN201410072323.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103794644A	公开（授权）日	2014.05.14
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	艾立鹍;徐安怀;齐鸣;周书星
主分类号	H01L29/737(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/737(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法至一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种磷化铟基双异质结双极晶体管结构及制备方法，其特征在于所述结构依次由半绝缘的InP衬底、外延缓冲层、腐蚀截止层、亚集电极层、集电极层、渐变基极层、发射极层和盖层组成；制备特征在于：（1）将InP（100）衬底送入气态源分子束外延系统GSMBE的预处理室，于300-350℃除气；（2）将上述衬底传递至GSMBE的生长室，生长前的衬底表面解析，解析是在As气氛下加热至解析温度，去除表面氧化层，然后将PH₃于1000℃进行裂解，得到P₂用作Ps源，调节气源炉PH₃压力P_V为450～700Torr；（3）衬底在P气氛的保护下进行生长前的表面解吸，衬底温度于400℃下进行外延生长，生长时衬底以每分钟5转的速度旋转，以保证外延材料的均匀性。