闪存式存储器电路及其布局方法
- 申请号：CN201410082113.0
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103794238A
- 公开(公开)日：2014.05.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 闪存式存储器电路及其布局方法 | ||
| 申请号 | CN201410082113.0 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103794238A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋;陈丽 |
| 主分类号 | G11C7/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C7/10(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 闪存式存储器电路及其布局方法 至闪存式存储器电路及其布局方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种闪存式存储器电路及其布局方法，该方法包括：设置预先分隔为N个第一子电路的读通道相关电路于半包围型数据总线的下方；设置预先分隔为N个第二子电路的高压相关电路于读通道相关电路的下方；其中，N为整数，且每一第一子电路和第二子电路的宽度均不大于源驱动电路的宽度；采用本发明的电路及其布局方法可以解决由于闪存式存储器的容量或位宽改变，所导致的整个电路版图设计时间延长和芯片的开发周期增加的问题。 | ||
交易流程
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