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增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法

  • 申请号:CN201210418831.1
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN103794513A
  • 公开(公开)日:2014.05.14
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法
申请号 CN201210418831.1 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103794513A 公开(授权)日 2014.05.14
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 朱春生;罗乐;徐高卫;宁文果
主分类号 H01L21/48(2006.01)I IPC主分类号 H01L21/48(2006.01)I
专利有效期 增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法 至增强介质层PI和金属Cu层之间粘附性的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明涉及一种增强介质层PI和金属层Cu层粘附性的方法。其主要步骤为:首先,对介质层PI进行表面预处理,然后选择及控制溅射的粘附/种子层金属类型和厚度。溅射完成后,进行退火处理,增加PI和粘附/种子层金属的结合度,最后,再进行金属Cu的电镀。通过以上步骤,使PI和Cu之间的粘附性得到很大提高。本发明提供的方法适合于圆片级封装再布线结构以及UBM制作。

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