一种相变存储单元及其制备方法
- 申请号：CN201410057134.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 公开(公开)号：CN103794721A
- 公开(公开)日：2014.05.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种相变存储单元及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201410057134.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103794721A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 孔涛;黄荣;张杰;卫芬芬;程国胜 |
| 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种相变存储单元及其制备方法 至一种相变存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种相变存储单元及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、下电极、下绝热层、相变材料层、上绝热层和上电极，所述上电极还与所述相变材料膜电连接，其中，所述下绝热层具有主要由复数个四棱台状单元，特别是二氧化硅四棱台组成的周期性结构，所述相变材料层连续覆设在所述周期性结构上，并形成复数个凹槽结构。本发明易于制备，成本低廉，并且存储密度高，可充分满足相变存储器的应用需求。 | ||
交易流程
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