改善硅纳米线太阳能电池性能的方法
- 申请号：CN201410043904.2
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103794680A
- 公开(公开)日：2014.05.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 改善硅纳米线太阳能电池性能的方法 | ||
| 申请号 | CN201410043904.2 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103794680A | 公开（授权）日 | 2014.05.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 曾湘波;王凌潇;张晓东;杨萍;李浩;谢小兵;王启明 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | 改善硅纳米线太阳能电池性能的方法 至改善硅纳米线太阳能电池性能的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提出一种改善硅纳米线太阳能电池性能的方法，包括：S1、将硅纳米线太阳能电池和导电金属网置于电解液中，并将该硅纳米线太阳能电池和该导电金属网分别连接至稳压直流电源的负极和正极；S2、打开所述稳压直流电源的同时用光照射所述硅纳米线太阳能电池，并持续一个预定时间；S3、从所述电解液中取出所述硅纳米线太阳能电池，并进行清洗。本发明能够提高硅纳米线太阳能电池的效率，且工艺简单、成本低廉。 | ||
交易流程
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