专利详情

专利名称	半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210432008.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103794560A	公开（授权）日	2014.05.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L21/8238(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I
专利有效期	半导体结构及其制造方法至半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括衬底(130)、支撑结构(131)、基底区(100)、栅堆叠、侧墙(240)以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区(100)之上，所述基底区(100)由支撑结构(131)支撑于所述衬底(130)之上，其中：所述支撑结构(131)的侧壁截面为∑形；在所述基底区(100)两侧边缘下方存在隔离结构(123)，其中，部分所述隔离结构(123)与所述衬底(130)相连接；在所述隔离结构(123)和所述支撑结构(131)之间存在空腔(112)；以及至少在所述基底区(100)和隔离结构(123)的两侧存在源/漏区。相应地，本发明还提供了该半导体结构的制造方法。